Park, Yong-Jo: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (16)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

The role of AlN buffer layer in AlxGa1−xN/GaN heterostructures with x from 0.35 to 0.5 grown on sapphire (0 0 0 1)

In-Seok Seo, Seung-Jae Lee, Seong-Hwan Jang, Jeong-Mo Yeon, Jae-Young Leem, Yong-Jo Park, Cheul-Ro Lee

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 315 KB

english, 2002

2

MOVPE grown 1360-nm GaInNAs quantum-well laser with multibarrier structures

Ki-Sung Kim, Sung-Jin Lim, Ki-Hong Kim, Jae-Ryung Yoo, Taek Kim, Yong-Jo Park

Журнал:

IEEE Photonics Technology Letters

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 139 KB

english, 2004

3

Formation of V-shaped pits in InGaN/GaN multiquantum wells and bulk InGaN films

Kim, Ig-Hyeon, Park, Hyeong-Soo, Park, Yong-Jo, Kim, Taeil

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 520 KB

english, 1998

4

MOVPE growth optimization for optically efficient GaInNAs quantum well structure

Ki-Sung Kim, Sung-Jin Lim, Ki-Hong Kim, Jae-Ryung Yoo, Taek Kim, Yong-Jo Park

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 294 KB

english, 2005

5

The influences of AlxGa1−xN layer on the characteristics of UV LED structure

Cheul-Ro Lee, Sung-Jin Son, Kyeong-Won Seol, Jeong-Mo Yeon, Haeng-Keun Ahn, Yong-Jo Park

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 202 KB

english, 2001

6

Fabrication of metal–semiconductor–metal (MSM) UV photodetectors with Al0.16Ga0.84N/GaN heterostructures

Dong-Wook Kim, Kyong-Seok Chea, Yong-Jo Park, In-Hwan Lee, Cheul-Ro Lee

Журнал:

physica status solidi (a)

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 179 KB

english, 2004

7

Improved performance of MOVPE-grown GaInNAs quantum wells by control of interfacial strain

Ki-Sung Kim, Jae-Ryung Yoo, Sung-Jin Lim, Ki-Hong Kim, Taek Kim, Yong-Jo Park

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 220 KB

english, 2004

8

Characteristics of UV photodetector fabricated by Al0.3Ga0.7N/GaN heterostructure

In-Seok Seo, In-Hwan Lee, Yong-Jo Park, Cheul-Ro Lee

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 584 KB

english, 2003

9

Optimization of the temperature mode of metal-organic chemical vapor deposition of the InAs(N) quantum dots on GaAs (001) with intense photoluminescence at 1.3 μm

V. I. Shashkin, V. M. Danil’tsev, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, D. M. Gaponova, O. I. Khrykin, A. V. Murel’, N. V. Vostokov, Taek Kim, Yong-Jo Park

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 213 KB

english, 2006

10

Crystal tilting in GaN grown by pendoepitaxy method on sapphire substrate

Kim, Ig-Hyeon, Sone, C., Nam, Ok-Hyun, Park, Yong-Jo, Kim, Taeil

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 450 KB

english, 1999

11

Measurement of junction temperature in GaN-based laser diodes using voltage-temperature characteristics

Ryu, Han-Youl, Ha, Kyoung-Ho, Chae, Jung-Hye, Nam, Ok-Hyun, Park, Yong-Jo

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 259 KB

english, 2005

12

[IEEE 2006 IEEE LEOS Annual Meeting - Montreal, QC, Canada (2006.10.29-2006.11.2)] 2006 IEEE LEOS Annual Meeting Conference Proceedings - Enhancement of the Optical Pumping Efficiency in Vertical External Cavity Surface Emitting Laser

Yoo, Jae-ryung, Kim, Ki-sung, Kim, Gi-bum, Lee, Sang-moon, Kim, Jun-youn, Jo, Soo-haeng, Lee, Jun-ho, Kim, Taek, Park, Yong-jo

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 176 KB

english, 2006

13

SPIE Proceedings [SPIE OPTO - San Francisco, California (Saturday 23 January 2010)] Light-Emitting Diodes: Materials, Devices, and Applications for Solid State Lighting XIV - Phosphor concentration and geometry for high power white light emitting diode

Moon, Kyung-Mi, An, Se-Hwan, Kim, Hyung-Kun, Chae, Jung-Hye, Park, Yong-Jo, Streubel, Klaus P., Jeon, Heonsu, Tu, Li-Wei, Linder, Norbert

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 301 KB

english, 2010

14

Dry Etching of GaN Using Reactive Ion Beam Etching and Chemically Assisted Reactive Ion Beam Etching

Lee, Jae-Won, Park, Hyong-Soo, Park, Yong-Jo, Yoo, Myong-Cheol, Kim, Tae-Il, Kim, Hyeon-Soo, Yeom, Geun-Yong

Журнал:

MRS Proceedings

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.63 MB

english, 1997

15

SPIE Proceedings [SPIE Integrated Optoelectronic Devices 2005 - San Jose, California, United States (Saturday 22 January 2005)] Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV - Measurement of junction temperature in GaN-based laser diodes using voltage-temperature characteristics

Ryu, Han-Youl, Mermelstein, Carmen, Bour, David P., Ha, Kyoung-Ho, Chae, Jung-Hye, Nam, Ok-Hyun, Park, Yong-Jo

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 60 KB

english, 2005

16

The Role of AlN Interlayer in AlxGa1-xN/GaN Heterostructures with high x from 0.35 to 0.50 Grown on Sapphire (0001)

Seo, In-Seok, Lee, Seung-Jae, Jang, Seong-Hwan, Yeon, Jeong-Mo, Leem, Jae-Young, Park, Yong-Jo, Lee, Cheul-Ro

Журнал:

MRS Proceedings

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 798 KB

english, 2002